“磁性体中でスピンと結合する電子系が、スピンが作る角度に対応した実効的ベクトルポテンシャル（創発電磁場と呼ぶ）を感じる”、という物理原理に基づき、非共線スピン構造を用いて創発電磁場を、100-1000テスラの強さで、ナノメーター・ナノ秒スケールで操作し、電子の量子位相と運動を制御する。(A)ナノスピン構造を有する物質開発、(B)創発電磁現象の開拓、(C)デバイス開発へ向けた創発電磁機能の開拓、の３つのテーマを推進する。