金属間化合物超伝導体　CaAlSi

 

2001年に発見されたMgB₂は39Kという金属間化合物超伝導体では驚異的に高い転移温度をもっている。 MgB₂を超える超伝導体を開発を目指して我々は現在置換体であるCaAlSiを研究している。CaAlSiは特異な性質をもっていることをこれまでに発見してきた。右図のように上部臨界磁場の角度依存性は従来の異方的GLモデルでは説明できないカスプが存在する。このカスプはTinkhamの薄膜モデルが非常によくあてはまる。この現象の発現機構を解明を目指して現在実験を行っている。