!!!2024年 冬学期 第８回 物性セミナー
!!講師  秋山 了太 氏(東大理学系研究科)
!!題目 グラフェンへの原子インターカレーションが引き起こす物理
!!日時 	2024年 1月 26日(金) 午後4時50分ー6時15分前後
!!場所 	16号館 829およびオンライン 　{{color red,（注）今期はいつもの827ではなく、829です}}
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!アブストラクト
1−2層のSiC基板上にエピタキシャル成長したグラフェンは、物質の蒸着とアニールなどを経て、
SiC基板との間やグラフェン間に原子や分子をインターカレート（挿入）することができる。
そしてインターカレート原子が規則的に配列することによって原子・電子構造がグラフェンから大きく変調し、
CDW[1]やKekule変調[2]などが生じることが報告されており、更に我々はCaをインターカレートすることで超伝導が生じることを報告した[3,4]が、
ごく最近には4f電子系希土類のYbインターカレートで超伝導の発現にも成功した[5]。
グラフェンにおける超伝導は、ディラック錐近傍の状態密度の他に、M点付近にあるファンホーブ特異点によるフラットバンドも候補となり得て、
このバンドが超伝導に寄与する場合はd波/カイラルp波などの非従来型であることも理論予測されて[6]おり興味深い。
また、原子がインターカレートするダイナミクスはこれまで明らかではなかったが、我々は低速電子顕微鏡(LEEM)を用いて、
Liがインターカレートする様子を初めて動的に捉え、ドメイン間に不揮発なトポロジカルドメインウォールが生じていることを明らかにした[7]。
講演ではこれらの最新動向について紹介する。

参考文献

[1] R. Shimizu et al., Phys. Rev. Lett. 114, 146103 (2015).

[2] C. Bao et al., Phys. Rev. Lett. 126, 206804 (2021).

[3] S. Ichinokura et al., ACS Nano 10, 2761 (2016).

[4] H. Toyama, RA et al., ACS Nano 16, 3582 (2022).

[5] S. Sato, RA et al., 第78回日本物理学会年次大会 16pPSA-12 (2023).

[6] M, L. Kiesel et al.,Phys. Rev. B 86, 020507(R) (2012).

[7] Y. Endo, RA et al., Nature Nanotech. 18, 1154 (2023).


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